BAW56 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – High-speed double diode

Surface Mount Silicon Planar
Dual Small-Signal Diodes
(common anode)
BAW 56
Silizium-Planar-Doppel-Dioden
für die Oberflächenmontage
(gemeinsame Anode)
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
1
2
Dimensions / Maße in mm
1 = cathode 1
2 = cathode 2
3 = common / gemeinsame anode
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
250 mA
70 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
see page 18
siehe Seite 18
Maximum ratings
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
D1 + D2
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
T_j = 25/C
t_p = 1 :s
t_p = 1 ms
t_p = 1 s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte
V_RRM
70 V
I_FAV
250 mA ¹)
I_FRM
450 mA ¹)
I_FSM
2A
I_FSM
1A
I_FSM
0.5 A
T_j – 50...+ 150/C
T_S – 50...+ 150/C
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
Leakage current
Sperrstrom
Kennwerte
T_j = 25/C I_F = 1 mA
V_F
I_F = 10 mA
V_F
I_F = 50 mA
V_F
I_F = 0.15 A
V_F
T_j = 25/C V_R = V_RRM
I_R
T_j = 150/C V_R = V_RRM
I_R
T_j = 150/C V_R = 25 V
I_R
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
< 2.5 :A
< 50 :A
< 30 :A
1_{) Mounted on P.C. board with 25 mm}2 _{copper pads at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
04.02.2003
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