BAV70W Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – High-speed double diode

BAV70W
BAV70W
Surface Mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2005-9-28
2^±0.1
0.3 ₃
Type
Code
1
2
1.3
1^±0.1
Power dissipation
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
70 V
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAV70W
Power dissipation − Verlustleistung ¹)
Ptot
200 mW ²)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
IFSM
tp ≤ 1 ms
IFSM
tp ≤ 1 µs
IFSM
0.5 A
1A
2A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM
70 V
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Tj
150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
- 55…+ 150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current ³)
Sperrstrom
VR = 70 V
VR = 25 V
VR = 70 V
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 715 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
IR
< 5 µA
IR
< 60 µA
IR
< 100 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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