BAS70 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – Schottky barrier double diodes

BAS70 ...-04 ...-05 ...-06
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Power dissipation
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
310 mW
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T_A = 25 C)
Power dissipation – Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
per diode / pro Diode
P_tot
I_FAV
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I_FRM
Peak forward surge current t_p • •1 s
Stoßstrom-Grenzwert
I_FSM
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
V_RRM
T_j
T_S
Grenzwerte (T_A = 25 C)
BAS70-series
310 mW ¹)
200 mA ¹)
300 mA ¹)
500 mA
70 V
150••C
- 55…+ 150••C
Characteristics (T_j = 25 C)
Forward voltage - Durchlaßspannung ²)
Leakage current - Sperrstrom ²)
I_F = 1 mA
I_F = 15 mA
V_R = 50 V
Kennwerte (T_j = 25 C)
V_F
< 410 mV
V_F
< 1000 mV
I_R
< 100 nA
1_{) Mounted on P.C. board with 3 mm}2 _{copper pad at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2_{) Tested with pulses tp = 300 • •s, duty cycle • •2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 • •s, Schaltverhältnis • •2%}
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