BAS40_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) SeCoS Halbleitertechnologie GmbH – Surface Mount Schottky Barrier Diodes

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06
Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
Power dissipation – Verlustleistung
0.4+0.1
-0.05
2.9 ^±0.1
3
Type
Code
1
2
1.9^±0.1
1.1+0.1
-0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
310 mW
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
Power dissipation – Verlustleistung ¹)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
tp ≤ 1 s
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAS40-series
Ptot
310 mW ²)
IFAV
200 mA ²)
IFRM
300 mA ²)
IFSM
0.6 A
VRRM
40 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage ³)
Durchlass-Spannung ³)
Leakage current
Sperrstrom
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 40 mA
VR = 30 V
VR = 40 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 380 mV
VF
< 500 mV
VF
< 1.00 V
IR
< 200 nA
IR
< 10 µA
CT
5 pF
trr
< 5 ns
RthA
< 400 K/W ²)
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1