BAS40 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – Schottky barrier double diodes

BAS40 ...-04 ...-05 ...-06
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes
Schottky-Barrier Einzel-/ Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2004-04-09
Power dissipation – Verlustleistung
310 mW
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
40 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T_A = 25/C)
per diode / pro Diode
Power dissipation – Verlustleistung
P_tot
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I_FAV
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
I_FRM
Peak forward surge current t_p # 1 s
Stoßstrom-Grenzwert
I_FSM
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V_RRM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
T_j
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T_S
Grenzwerte (T_A = 25/C)
BAS40-series
310 mW ¹)
200 mA ¹)
300 mA ¹)
600 mA
40 V
150/C
- 55…+ 150/C
Characteristics (T_j = 25/C)
Forward voltage - Durchlaßspannung ²)
Leakage current - Sperrstrom ²)
I_F = 1 mA
I_F = 10 mA
I_F = 40 mA
V_R = 30 V
V_R = 40 V
Kennwerte (T_j = 25/C)
V_F
< 380 mV
V_F
< 500 mV
V_F
< 1000 mV
I_R
< 200 nA
I_R
< 10 :A
1_{) Mounted on P.C. board with 3 mm}2 _{copper pad at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2_{) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%}
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