BAS216WT Datasheet, PDF (1/2 Pages) SEMTECH ELECTRONICS LTD. – High Speed Switching Diode

BAS216WT
BAS216WT
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-11-30
Power dissipation – Verlustleistung
1.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
1.6
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
150 mW
85 V
SOD-523
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAS216WT
Ptot
150 mW ¹)
IFAV
150 mA ¹)
IFSM
0.5 A
IFSM
2A
VRRM
85 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage ²)
Durchlass-Spannung ²)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Tj = 150°C
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = 75 V
VR = 25 V
VR = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 715 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
IR
< 1 µA
IR
< 30 µA
IR
< 50 µA
CT
1.5 pF
trr
< 4 ns
RthA
< 620 K/W ¹)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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