BAS19 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – General purpose diodes

Surface Mount Silicon Planar
Small-Signal Diode
Dimensions / Maße in mm
1 = anode
2 = n. c.
3 = cathode
BAS 19 ... 21
Silizium-Planar-Diode
für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom
200 mA
Repetitive peak reverse voltage
85 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings
Type
Typ
BAS 19
BAS 20
BAS 21
Working peak reverse voltage
Arbeits-Spitzensperrspannung
V_RWM [V]
100
150
200
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V_RRM [V]
120
200
250
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
t_p < 0.3 ms
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Max. power dissipation
Verlustleistung
f > 15 Hz
T_j = 25/C
t_p = 1 :s
t_p = 1 s
T_A = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
I_FAV
200 mA ¹)
I_FRM
625 mA ¹)
I_FSM
I_FSM
P_tot
2.5 A
0.5 A
500 mW ¹)
T_j – 50...+ 150/C
T_S – 50...+ 150/C
1_{) Mounted on P.C. board with 25 mm}2 _{copper pads at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
04.02.2003
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