BAS16_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – SMD Small Signal Diodes

BAS16, BAW56, BAV70, BAV99
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
IFAV = 215 mA
VF1 < 0.715 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 85 V
IFSM = 2 A
trr < 4 ns
Version 2016-06-29
SOT-23
(TO-236)
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade ¹)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung ¹)
2.9 ^±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1.1+0.1
-0.2
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
1
2
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
1.9^±0.1
Taped and reeled
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
Weight approx.
0.01 g
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single
Diode
Common
Anode
BAS16
3
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
BAW56
3
1
2
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Type
Code
5D
Type
Code
A1
Common
Cathode
Series
Connection
BAV70
3
1
2
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAV99
3
1
2
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Type
Code
A4
Type
Code
A7
Maximum ratings ²)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
TA = 25°C
Ptot
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
single diode loaded – eine Diode belastet IFAV
both diodes loaded – beide Dioden belastet IFAV
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
IFSM
tp ≤ 1 ms
IFSM
tp ≤ 1 µs
IFSM
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAS16, BAW56, BAV99
VRRM
BAV70
VRRM
Reverse voltage – Sperrspannung (dc)
VR
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte ²)
350 mW ³)
215 mA ³)
125 mA ³)
300 mA ³)
0.5 A
1A
2A
85 V
100 V
75 V
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C and per diode, unless otherwise specified – Tj = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on 3 mm² copper pads per terminal – Montage auf 3 mm² Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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