BAL99 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Pan Jit International Inc. – SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

BAL99
BAL99
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-04-07
Power dissipation – Verlustleistung
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
1 = n.c. /frei 2 = C 3 = A
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
310 mW
70 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation – Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAL99
Ptot
310 mW ¹)
IFAV
250 mA 1)
IFSM
IFSM
IFSM
VRRM
0.5 A
1A
2A
70 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current ²)
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = 70 V
VR = 25 V
VR = 70 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 715 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1000 mV
VF
< 1250 mV
IR
< 2.5 µA
IR
< 30 µA
IR
< 100 µA
CT
1.5 pF
trr
< 6 ns
RthA
400 K/W 1)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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