1N5059_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Vishay Siliconix – Standard Avalanche Sinterglass Diode

1N5059 ... 1N5062
1N5059 ... 1N5062
Standard Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug
IFAV = 2 A
VRRM = 200...800 V
VF < 1.1 V IFSM = 50/55 A
Tjmax = 150°C trr ~ 1500 ns
Version 2015-09-22
~DO-41 / ~DO-204AC
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection
Commercial grade ¹)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Standardausführung ¹)
Ø 3^±0.05
Features
Besonderheit
High forward surge current
Hohe Stoßstromfestigkeit
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
Taped in ammo pack
4000
Gegurtet in Ammo-Pack
Ø 0.8^±0.05
Weight approx.
Case material
0.4 g
UL94V-0
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL N/A
Maximum ratings ²)
Type
Typ
1N5059
1N5060
1N5061
1N5062
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
400
600
800
Grenzwerte ²)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
200
400
600
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
2 A ³)
10 A ³)
50/55 A
12.5 A²s
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1