1N4148_11 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Micro Commercial Components – 500mW High Speed Switching Diode 100 Volt

1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Version 2011-09-23
Ø 1.9
Ø 0.52
Dimensions - Maße [mm]
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
500 mW
50...100 V
DO-35
(SOD-27)
0.13 g
LL4148, LL4150
LL4151, LL4148
Maximum ratings (TA = 25°C)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
1N4148
75
1N4150
50
1N4151
50
1N4448
75
Grenzwerte (TA = 25°C)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
100
50
75
100
Type
Typ
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
tp = 1 µs
Tj = 25°C
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1N4148
1N4448
1N4150
1N4151
IFAV 150 mA ²) 300 mA ²) 200 mA ²)
IFRM 500 mA ²) 600 mA ²) 500 mA ²)
IFSM
2000 mA 4000 mA
2000 mA
Ptot
500 mW ²)
Tj
-50...+200°C
TS
-50...+200°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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