1N4148W_09 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Pan Jit International Inc. – SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-01-28
Power dissipation – Verlustleistung
2.7
Repetitive peak reverse voltage
eriodische Spitzensperrspannung
0.6
0.1
Type
Code
3.8
Dimensions - Maße [mm]
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
400 mW
75 V
SOD-123
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
toßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
p ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148W, 1N4448W
Ptot
400 mW ¹)
IFAV
150 mA ¹)
IFRM
300 mA ¹)
IFSM
IFSM
VRRM
VRSM
500 mA ¹)
A
75 V
100 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
urchlass-Spannung
1N4148W
1N4448W
Leakage current – Sperrstrom ²)
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C ²)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
ärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 10 mA
IF = 5 mA
F = 100 mA
VR = 20 V
R = 75 V
VR = 20 V
R = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 1.0 V
VF
0.62...0.72 V
F
1V
IR
< 25 nA
IR
5 µA
IR
< 30 µA
IR
50 µA
CT
4 pF
Trr
< 4 ns
RthA
< 400 K/W ¹)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1