1N4148WS_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – SMD Small Signal Switching Diodes

1N4148WS, 1N4448WS
1N4148WS, 1N4448WS
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
Version 2016-06-07
~SOD-323
1.7 ^±0.1
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade ¹)
Type
Code
2.5 ^±0.2
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Mechanical Data ¹)
Taped and reeled
Dimensions - Maße [mm]
Type Code
1N4148WS = W2 or A
1N4448WS = W2
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
IFAV = 150 mA
VF1 < 1.25 V
Tjmax = 150°C
VRRM
IFSM1
trr
= 75 V
=1A
< 4 ns
RoHS
Pb
3000 / 7“
0.005 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung ¹)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanische Daten ¹)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148WS, 1N4448WS
Ptot
200 mW ²)
IFAV
150 mA ²)
IFRM
300 mA ²)
IFSM
350 mA ²)
IFSM
1A
VRRM
75 V
VRSM
100 V ³)
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C
IF = 1 mA
IF = 5 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = 20 V
VR = 75 V
VR = 20 V
VR = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
1N4148WS 1N4448WS
VF
< 0.75 V
–
VF
–
0.62...0.72 V
VF
< 0.855 V
< 0.855 V
VF
< 1.0 V
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
< 1.25 V
IR
< 25 nA
< 25 nA
IR
< 1 µA
< 100 nA
IR
< 30 µA
< 30 µA
IR
< 50 µA
< 50 µA
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal – Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Lötpad je Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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