1N4148 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – High-speed diodes

1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448
Silicon Planar Diodes
Silizium-Planar-Dioden
Dimensions / Maße in mm
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
150...300 mA
50…100 V
DO-35
SOD-27
0.13 g
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Type
Typ
1N 4148
1N 4150
1N 4151
1N 4448
Reverse voltage
Sperrspannung
V_RM [V]
75
50
50
75
Grenzwerte
Reverse Breakdown Voltage
Abbruchspannung
V_RRM [V] ¹)
100
50
75
100
Max. average forward rectified current, R-load
I_FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
I_FRM
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak fwd. current
Stoßstrom Grenzwert
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
t_p = 1 :s I_FSM
T_j = 25/C
T_A = 25/C P_tot
Operating junction temp. – Sperrschichttemp.
T_j
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T_S
1N 4148 1N 4150
1N 4448
150 mA²) 300 mA²)
1N 4151
200 mA²)
500 mA²) 600 mA²) 500 mA²)
2000 mA 4000 mA 2000 mA
500 mW ²)
- 50…+ 200/C
- 50…+ 200/C
1_{) Tested with 100 :A pulses – Gemessen mit 100 :A-Impulsen}
2_{) Valid, if leads are kept at TA = 25/C at a distance of 5 mm from case}
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 5 mm Abstand von Gehäuse auf T_A = 25/C gehalten werden
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01.10.2002