10A05_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Rectifier Diodes . Silizium-Gleichrichterdioden

10A05 ... 10A10
10A05 ... 10A10
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-12-09
Nominal Current
Nennstrom
Ø 8.8^±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.3^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
10 A
1000 V
Ø 8.8 x 8.8 [mm]
R-6 Style
1.65 g
Maximum ratings
Type
Typ
10A05
10A1
10A2
10A4
10A6
10A8
10A10
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
10 A ¹)
72 A ¹)
360/400 A
1.8 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 9,5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 9,5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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