1.5SMCJ5.0_16 Datasheet, PDF (1/4 Pages) Diotec Semiconductor – SMD Transient Voltage Suppresssor Diodes

1.5SMCJ5.0 ... 1.5SMCJ170CA
1.5SMCJ5.0 ... 1.5SMCJ170CA
SMD Transient Voltage Suppresssor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 1500 W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 170 V
VBR = 6.8 ... 200 V
Version 2016-05-30
~ SMC / ~ DO-214AB
7.9^±0.2
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade ¹)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung ¹)
1.2
0.15
Type
Typ
7.2^±0.5
Dimensions - Maße [mm]
Features
Besonderheiten
Uni- and Bidirectional versions
Uni- und Bidirektionale Versionen
Peak pulse power of 200 W
200 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs waveform)
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Very fast response time
Sehr schnelle Ansprechzeit
Further available: 1.5SMC220...550CA Auch erhältlich: 1.5MC220...550CA
having VBR = 220 ... 550 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
mit VBR = 220 ... 550V
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
Taped and reeled
3000 / 13
Gegurtet auf Rolle
Type Code = VWM. Cathode mark
only at unidirectional types
Typ-Code = VWM. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
0.07 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings ²)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current (half sine) – Stoßstrom (Sinushalbw.) 60 Hz
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
TT = 75°C
TA = 25°C
Grenzwerte ²)
PPPM
1500 W ³)
P_M(AV)
I_FSM
Tj
TS
5W
100 A ⁴)
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Max. instantaneous forward
voltageAugenblickswert der Durchlass-Spannung
I_F = 25 A V_BR ≤ 200 V
VF
Thermal resistance junction to ambien –Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
Kennwerte
< 3.0 V ⁴)
< 33 K/W ⁵)
< 10 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve I_PP = f (t) / P_PP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I_PP = f (t) / P_PP = f (t)
4 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
5 Mounted on P.C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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