D882 Datasheet, PDF (1/2 Pages) List of Unclassifed Manufacturers – TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.,
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
D882 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power Dissipation
TO-126
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
（符号）
Parameter
（参数名称）
Value
（额定值）
Units
（单位）
VCBO
Collector-Base Voltage （集电极-基极电压）
40
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压）
30
V
VEBO
Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压）
6
V
IC
Collector Current -Continuous （集电极电流）
3.0
A
PC
Collector Power Dissipation （耗散功率）
1.25
W
Tj
Junction Temperature （结温）
150
℃
Tstg
Storage Temperature （储存温度）
-55-150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified)
Parameter
（参数名称）
Collector-base breakdown voltage
集电极-基极击穿电压
Collector-emitter breakdown voltage
集电极-发射极击穿电压
Emitter-base breakdown voltage
发射极-基极击穿电压
Collector cut-off current
集电极-基极截止电流
Collector cut-off current
集电极-发射极截止电流
Emitter cut-off current
发射极-基极截止电流
DC current gain
直流电流增益
DC current gain
直流电流增益
Collector-emitter saturation voltage
集电极-发射极饱和压降
Base-emitter saturation voltage
发射极-基极饱和压降
Symbol
（符号）
V(BR)CBO
Test conditions
（测试条件）
IC= 100μA, IE=0
V(BR)CEO IC= 1mA, IB=0
V(BR)EBO IE=100μA, IC=0
ICBO
VCB=30 V , IE=0
ICEO
VCE=25V , IB=0
IEBO
VEB=5V , IC=0
hFE
VCE=2V, IC= 1A
hFE
VCE=2V, IC= 20mA
VCE(sat) IC=2A, IB=200mA
VBE(sat) IC=2A, IB=200mA
MIN
TYP
MAX
UNIT
（最小值） （典型值） （最大值） （单位）
40
V
30
V
6
V
1
μA
10
μA
1
μA
100
400
80
0.5
V
1.2
V
CLASSIFICATION OF hFE
Range
100-200
200-300
300-400
1/2