English
Language : 

1N4148_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Ultrafast Recovery Rectifier Diodes
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug
IFAV = 150...200 mA
VF1 < 0.54 V
Tjmax = 200°C
VRRM = 50...100 V
IFSM = 2000...4000 mA
trr < 2...4 ns
Version 2015-11-20
~DO-35 / ~(SOD-27)
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Ø 1.9±0.1
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Ø max 0.5
Taped in ammo pack
Weight approx.
5000
0.17 g
Gegurtet in Ammo-Pack
Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
1N4148
1N4150
1N4151
1N4448
Reverse voltage
Sperrspannung
VR [V]
75
50
50
75
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
100
50
75
100
Type
Typ
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
tp = 1 µs
Tj = 25°C
1N4148
1N4448
1N4150
1N4151
IFAV
150 mA 3) 300 mA 3)
200 mA 3)
IFRM
500 mA 3) 600 mA 3)
500 mA 3)
IFSM
2000 mA 4000 mA
2000 mA
Ptot
500 mW 3)
Tj
-50...+200°C
TS
-50...+200°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1