1N4148WS_14 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount Small Signal Diodes

1N4148WS
1N4148WS
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2014-10-22
1.7 ^±0.1
Power dissipation – Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Type
Code
2.5 ^±0.2
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
75 V
~ SOD-323
0.005 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148WS
Ptot
200 mW ¹)
IFAV
150 mA ¹)
IFRM
300 mA ¹)
IFSM
IFSM
VRRM
VRSM
350 mA ¹)
1A
75 V
100 V ²)
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 150 mA
VR = 20 V
VR = 75 V
VR = 20 V
VR = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 0.75 V
VF
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
IR
< 25 nA
IR
< 1 µA
IR
< 30 µA
IR
< 50 µA
CT
2 pF
trr
< 4 ns
RthA
< 620 K/W ¹)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1