CPW3-1700S010_CN Datasheet, PDF (1/3 Pages) Cree, Inc – 碳化硅肖特基二极管芯片

CPW3-1700S010–碳化硅肖特基二极管芯片
Z-Rec™ 整流器
特点
芯片轮廓
V_RRM = 1700 V
I_F(AVG) = 10 A
Q_c = 70 nC
• 1700 伏肖特基整流器
• 零反向恢复
• 零正向恢复
• 高频工作
• 与温度无关的开关特性
• 极快的开关
• 正向电压 (V_F) 的正温度系数
部件号
CPW3-1700S010B
阳极
Al
最大额定值
符号 参数
V_RRM
V_RSM
V_DC
I_F(AVG)
I_FRM
反向重复峰值电压
反向浪涌峰值电压
直流阻断电压
平均正向电流
正向重复峰值浪涌电流
I_FSM
正向不重复峰值浪涌电流
T_J，T_stg 工作结温和存储温度
电气特征
符号
V_F
正向电压
I_R
反向电流
Q_C
总电容电荷
参数
C
总电容
注：
1. 假定 θ_J-C 热阻 1.06˚C/W 或以下
阴极
Ni/Ag
封装
金属箔上切割
标记
金属箔上的晶片编号
值 单位
测试条件
注
1700
V
1700
V
1700
V
10
A T_J=175˚C
40.5
22.5
A
T_C=25˚C，t_P=10 mS，半正弦波，D=1
T_C=110˚C，t_P=10 mS，半正弦波，D=1
1
54
36.5
A
T_C=25˚C，t_P=10 mS，半正弦波，D=1
T_C=110˚C，t_P=10 mS，半正弦波，D=1
1
-55 至
+175
˚C
典型 最大
单位
测试条件
注
1.7
2
3
3.5
10
50
50
200
70
110
880
80
60
V
I_F = 10A T_J=25°C
I_F = 10 A T_J=175°C
μA
V_R = 1700 V T_J=25°C
V_R = 1700 V T_J=175°C
V_R = 1700 V，I_F = 10 A
nC
di/dt = 400 A/μs
T_J = 25°C
V_R = 0 V，T_J = 25°C，f = 1 MHz
pF
V_R = 200 V，T_J = 25˚C，f = 1 MHz
V_R = 400 V，T_J = 25˚C，f = 1 MHz
信息若有更改，恕不另行通知。
www.cree.com/power
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