CM2004 Datasheet, PDF (4/7 Pages) SHANGHAI BELLING CO., LTD. – CM2004

8位MASK单片机芯片CM2004
振荡电路原理图
其中 Rf 和 反向器是 MCU 内部集成的。 Rs 是控制激励功率电阻，Rf 是反馈电阻。在激励和反馈
都正常的情况下，其 OSC2 输出的是一个振幅达 4/5 VDD 左右的稳定正弦波。如发现振幅低于 1/2
VDD ，则认为是欠激励。如波形严重失真，则认为过激励。发生欠激励或过激励的现象，可通过 Rs 或 再
外接一个 Rf（与内部 Rf 并联）调节，过激励增大 Rs（范围是 0~10K），欠激励减小 Rf（范围是 1~10M）。
在实际应用中，Rs 往往不接，直接短路，外部也没有 Rf ，这在绝大多数场合都是可以用的。如果采
用 455K 陶瓷振荡器，建议使用 Rs 以避免过激励，取值为 10K。如果采用品质稍差的 2M 陶瓷振荡器，也
建议使用 Rs。应用中因为环境、PCB 走线、振荡频率、晶振或陶振参数的不同而导致 Rs、Rf 的取值并
不一定完全符合理论，应以实际效果为准。负载电容的最佳取值主要取决于振荡器参数，一般由振荡器
厂家提供，下面仅列出参考值。
陶瓷谐振器负载电容 C1、C2 取值
陶瓷谐振器振荡频率
C1、C2
4M - 16M
10P – 22P
2M – 4M
15P – 33P
< 2M
20P – 100P
455K
59P
晶体振荡器负载电容 C1、C2 取值
晶体振荡器
C1、C2
4M - 16M
15P
2M - 4M
20P
<2M
15P - 100P
32768
7.5P
5.2.3 内部 RC 振荡器
客户还可以在掩膜时选用内部的 RC 振荡器，这个振荡器在 5V 下的振荡频率为 2.3MHz，随工作温度
和工作电压的不同，这个频率会有一定漂移。
5.3 复位
CM2004 内置上电复位电路(注意不是低电压复位)，另外芯片上还设计有一个外部复位端/MCLR，该
引脚内部上拉。芯片复位可由以下原因引发：1，芯片上电；2 看门狗超时溢出；3，/MCLR 被拉低。当
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8/24/2006
Wrote by dipeng