BLV4N60 Datasheet, PDF (1/6 Pages) SHANGHAI BELLING CO., LTD. – N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

BLV4N60
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
• 抗雪崩冲击能力强
• 高速开关
• 驱动简单
BV_DSS
R_DS(ON)
I_D
600V
2.2Ω
4A
产品介绍
BLV4N60 是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术，
自行开发的 600V 、4A N 沟 VDMOS， 适合于各类高
效开关电源。
最大额定参数 （TC=25^oC 除非另有说明）
符号
V_DS
V_GS
I_D
I_DM
P_D
E_AS
I_AR
E_AR
Tj
T_SDG
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极电流
连续漏极电流 ( TC=100 ^oC)
脉冲漏极电流 (注 1)
功耗
高于 25℃线性降低参数
单脉冲雪崩击穿能量 (注 2)
雪崩击穿电流
重复雪崩击穿能量
工作温度范围
存储温度范围
热特性
符号
R_{th j-c}
R_{th j-a}
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
参数
http://www.belling.com.cn
-1-
Total 6 Pages
极限值
600
+ 20
4
2.53
16
104
0.83
218
4
10.4
-55 to +150
-55 to +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
o_C
o_C
极限值
1.2
62.5
单位
℃/ W
℃/ W
10/23/2006