BLV108 Datasheet, PDF (1/2 Pages) SHANGHAI BELLING CO., LTD. – BLV108

BLV108
N 沟纵向 MOSFET
描述:
N 沟增强型 VDMOS，高速开关，无二次击穿
产品应用：
电话机电路
继电器电路
驱动电路等
工作条件 (T=25℃)
符号
参数
VDSS
漏源电压
VGSS
栅源电压
ID
漏电流
PD
Tj, TSDG
热特性
Power Dissipation for Dual Operation
结温度和存储温度
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Ambient
极限值
200
+ 20
300
1
-55 to +150
单位
V
V
mA
W
o_C
125 K/W
电学特性 TA=25^oC
符号
参数
BV_{DSS 源漏击穿电压}
I _DSS
零栅压时的漏极电流
I _GSS
栅和衬底之间的漏电流
V_{GS (th) 阈值电压}
R_{DS (on) 导通电阻}
测试条件
最小 典型 最大 单位
V_GS = 0V , I _D = 10uA
200
V
V_DS = 160V ,V_GS = 0V
1 uA
V_GS = ±20V ,V_DS = 0V
+100 nA
V_DS = V_GS , I _D = 1mA
0.4
1.8 V
V_GS = 2.8V , I _D = 100mA
5
Ω
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8/18/2006